Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STD
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
UL
Breite
6.2mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,28
€ 1,656 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,28
€ 1,656 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,656 | € 8,28 |
| 50 - 245 | € 1,348 | € 6,74 |
| 250 - 495 | € 1,028 | € 5,14 |
| 500+ | € 0,912 | € 4,56 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STD
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
14nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
UL
Breite
6.2mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.