Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
600mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.6mm
Výška
2.17mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 017,88
€ 1,207 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 3 017,88
€ 1,207 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 1,207 | € 3 017,88 |
| 5000+ | € 1,192 | € 2 980,62 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
600mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální ztrátový výkon Pd
70W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.6mm
Výška
2.17mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
