řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STE53NC50 N-kanálový 53 A 500 V, Isotop, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
53 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
ISOTOP
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
460 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
310 nC při 10 V
Breite
25.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
38.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 36,68
€ 36,68 Each (bez DPH)
1
€ 36,68
€ 36,68 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 36,68 |
| 10 - 49 | € 33,85 |
| 50 - 99 | € 32,30 |
| 100 - 199 | € 28,49 |
| 200+ | € 26,59 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
53 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
ISOTOP
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
460 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
310 nC při 10 V
Breite
25.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
38.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.1mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products