řada: MDmesh M2 MOSFET STF10N60M2 Typ N-kanálový 7.5 A 650 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
600mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13.5nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,81
€ 1,162 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 5,81
€ 1,162 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
600mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13.5nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4.6 mm
Výška
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products