Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
360mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25, -25V
Maximální pracovní teplota
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Länge
10.4mm
Höhe
16.4mm
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
360mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25, -25V
Maximální pracovní teplota
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Länge
10.4mm
Höhe
16.4mm
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
