Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 160,60
€ 8,03 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 160,60
€ 8,03 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 8,03 | € 16,06 |
| 100 - 198 | € 7,93 | € 15,86 |
| 200+ | € 7,835 | € 15,67 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.