Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 98,20
€ 4,91 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 98,20
€ 4,91 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,91 | € 9,82 |
| 100 - 198 | € 4,385 | € 8,77 |
| 200+ | € 3,77 | € 7,54 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
40W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
16.4mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.