Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
95mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
71nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 29,20
€ 2,92 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 29,20
€ 2,92 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,92 |
| 100 - 499 | € 2,66 |
| 500 - 999 | € 2,60 |
| 1000+ | € 2,57 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
95mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
71nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
35W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Výška
16.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.