Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
10A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
88W
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.2mm
Řada
H
Jmenovitá energie
221mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
10A
Typ produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
88W
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.2mm
Řada
H
Jmenovitá energie
221mJ
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
