Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
200A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
600W
Gehäusegröße
ISOTOP
Typ montáže
Clamp
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
4
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
38.2mm
Höhe
12.2mm
Normy/schválení
ECOPACK, JESD97
Breite
31.7mm
Řada
Powermesh
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 222,30
€ 22,23 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 222,30
€ 22,23 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 22,23 |
| 100+ | € 21,96 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
200A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
600W
Gehäusegröße
ISOTOP
Typ montáže
Clamp
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
4
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
38.2mm
Höhe
12.2mm
Normy/schválení
ECOPACK, JESD97
Breite
31.7mm
Řada
Powermesh
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
