STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 9 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
9A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
16.4mm
Normy/schválení
No
Řada
Low Drop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,59
€ 0,859 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,59
€ 0,859 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,859 | € 8,59 |
| 50 - 90 | € 0,848 | € 8,48 |
| 100 - 240 | € 0,839 | € 8,39 |
| 250 - 490 | € 0,828 | € 8,28 |
| 500+ | € 0,818 | € 8,18 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
9A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Minimální provozní teplota
-55°C
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
16.4mm
Normy/schválení
No
Řada
Low Drop
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products