STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 7 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
7A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
56W
Gehäusegröße
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
JEDEC JESD97
Řada
Powermesh
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 35,52
€ 0,71 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 35,52
€ 0,71 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,71 | € 35,52 |
| 100 - 200 | € 0,675 | € 33,74 |
| 250 - 450 | € 0,607 | € 30,37 |
| 500+ | € 0,604 | € 30,19 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
7A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
56W
Gehäusegröße
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4.6 mm
Výška
16.4mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
JEDEC JESD97
Řada
Powermesh
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products