Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
40A
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-220
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
40A
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Počet tranzistorů
1
Gehäusegröße
TO-220
Počet kolíků
3
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
