Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
30A
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
260W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
20.15mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Länge
15.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,38
€ 2,69 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 5,38
€ 2,69 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,69 | € 5,38 |
| 20 - 98 | € 2,60 | € 5,20 |
| 100 - 198 | € 2,52 | € 5,04 |
| 200+ | € 2,185 | € 4,37 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Trenchová brána, field-stope IGBT
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
30A
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
260W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
20.15mm
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Länge
15.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
