Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
80A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
375W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
14.8mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
ECOPACK
Řada
V
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 205,10
€ 4,102 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 205,10
€ 4,102 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 4,102 | € 20,51 |
| 125+ | € 3,89 | € 19,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
80A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
600V
Maximální ztrátový výkon Pd
375W
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
14.8mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
ECOPACK
Řada
V
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
