Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
86A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
272W
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
175°C
Länge
15.9mm
Höhe
5.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
21.1mm
Řada
STG
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 53,28
€ 1,776 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 53,28
€ 1,776 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 270 | € 1,776 | € 53,28 |
| 300 - 720 | € 1,732 | € 51,95 |
| 750+ | € 1,687 | € 50,62 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsMaximální trvalý kolektorový proud Ic
86A
Typ produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
272W
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
175°C
Länge
15.9mm
Höhe
5.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
21.1mm
Řada
STG
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
