řada: DeepGate, STripFET MOSFET STH150N10F7-2 Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.9mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
117nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
4.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,30
€ 3,65 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 7,30
€ 3,65 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,65 | € 7,30 |
| 10 - 18 | € 3,46 | € 6,92 |
| 20 - 48 | € 3,12 | € 6,24 |
| 50 - 98 | € 2,81 | € 5,62 |
| 100+ | € 2,675 | € 5,35 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.9mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
117nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Výška
4.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products