Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
STH200
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
93nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
340W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
STH200
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
93nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
340W
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.