Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
STH200
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
93nC
Maximální ztrátový výkon Pd
340W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 38,30
€ 3,83 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 38,30
€ 3,83 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,83 |
| 100 - 499 | € 3,78 |
| 500 - 999 | € 3,73 |
| 1000+ | € 3,68 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
H2PAK-2
Řada
STH200
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
93nC
Maximální ztrátový výkon Pd
340W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
