Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
I2PAK
Řada
STI28
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
150mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Maximální ztrátový výkon Pd
170W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
10.4mm
Výška
9.3mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 104,40
€ 2,088 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 104,40
€ 2,088 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,088 | € 104,40 |
| 250 - 450 | € 2,036 | € 101,80 |
| 500+ | € 1,98 | € 98,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
I2PAK
Řada
STI28
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
150mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
36nC
Maximální ztrátový výkon Pd
170W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
10.4mm
Výška
9.3mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
