Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
95A
Maximální napětí na zdroji Vds
80V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
6.5Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Maximální ztrátový výkon Pd
127W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 568,63
€ 1,19 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 3 568,63
€ 1,19 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 1,19 | € 3 568,63 |
| 6000+ | € 1,175 | € 3 524,58 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
95A
Maximální napětí na zdroji Vds
80V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
6.5Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
46nC
Maximální ztrátový výkon Pd
127W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.