Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Provozní frekvence
1MHz
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
160A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Výkon
125W
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STL160
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
N-Channel
Délka
4.8mm
Höhe
0.9mm
Normy/schválení
JEDEC
Šířka
6.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, based on STripFET F7 technology, delivers exceptionally low on-state resistance (RDS(on)) for enhanced efficiency. Its design ensures reduced capacitance and gate charge, enabling Faster and more efficient switching with excellent EMI immunity.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 244,10
€ 0,748 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 2 244,10
€ 0,748 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Provozní frekvence
1MHz
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
160A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Výkon
125W
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STL160
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
N-Channel
Délka
4.8mm
Höhe
0.9mm
Normy/schválení
JEDEC
Šířka
6.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, based on STripFET F7 technology, delivers exceptionally low on-state resistance (RDS(on)) for enhanced efficiency. Its design ensures reduced capacitance and gate charge, enabling Faster and more efficient switching with excellent EMI immunity.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
