Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
57W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,39
€ 2,695 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 5,39
€ 2,695 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,695 | € 5,39 |
| 20 - 98 | € 2,37 | € 4,74 |
| 100 - 198 | € 2,12 | € 4,24 |
| 200+ | € 1,82 | € 3,64 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
57W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1mm
Délka
5.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
