Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
215mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
24nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
0.9mm
Länge
8.1mm
Normy/schválení
No
Breite
8.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 6 050,63
€ 2,017 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 6 050,63
€ 2,017 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
215mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
24nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
0.9mm
Länge
8.1mm
Normy/schválení
No
Breite
8.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.