Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.8W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
62nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Höhe
950μm
Länge
8mm
Šířka
8mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 28,68
€ 5,736 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 28,68
€ 5,736 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 5,736 | € 28,68 |
| 50 - 120 | € 5,226 | € 26,13 |
| 125+ | € 4,354 | € 21,77 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.8W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
62nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Höhe
950μm
Länge
8mm
Šířka
8mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
