Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
19mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 12,60
€ 1,26 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 12,60
€ 1,26 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,26 | € 12,60 |
| 100 - 490 | € 0,845 | € 8,45 |
| 500 - 990 | € 0,672 | € 6,72 |
| 1000 - 2990 | € 0,634 | € 6,34 |
| 3000+ | € 0,613 | € 6,13 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Typ balení
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
19mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
