Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
19mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Breite
5.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 84,50
€ 0,845 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 84,50
€ 0,845 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,845 | € 8,45 |
| 500 - 990 | € 0,672 | € 6,72 |
| 1000 - 2990 | € 0,634 | € 6,34 |
| 3000+ | € 0,613 | € 6,13 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
19mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
100W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
6.35mm
Normy/schválení
No
Breite
5.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.