Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
90A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
5.4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
94W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
5.4mm
Normy/schválení
No
Breite
6.35mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 94,70
€ 0,947 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 94,70
€ 0,947 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,947 | € 9,47 |
| 500 - 990 | € 0,755 | € 7,55 |
| 1000 - 2990 | € 0,735 | € 7,35 |
| 3000+ | € 0,726 | € 7,26 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
90A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
5.4mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
94W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
0.95mm
Länge
5.4mm
Normy/schválení
No
Breite
6.35mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
