Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOT-223
Řada
STN3N
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
3.3W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
10nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.6mm
Länge
6.5mm
Normy/schválení
No
Breite
7mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 803,54
€ 0,201 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 803,54
€ 0,201 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
4000
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | € 0,201 | € 803,54 |
| 8000 - 20000 | € 0,198 | € 793,62 |
| 24000+ | € 0,196 | € 783,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOT-223
Řada
STN3N
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
3.3W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
10nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.6mm
Länge
6.5mm
Normy/schválení
No
Breite
7mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
