Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
25V
Řada
STN6N60M2
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.25Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální ztrátový výkon Pd
6W
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
6.8mm
Výška
1.8mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 042,67
€ 0,261 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 1 042,67
€ 0,261 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
4000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
25V
Řada
STN6N60M2
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.25Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální ztrátový výkon Pd
6W
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
6.8mm
Výška
1.8mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.