Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální ztrátový výkon Pd
1.6W
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.7mm
Výška
1.8mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 225,60
€ 0,226 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 225,60
€ 0,226 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,226 | € 225,60 |
| 2000 - 4000 | € 0,219 | € 218,83 |
| 5000+ | € 0,213 | € 213,42 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Maximální ztrátový výkon Pd
1.6W
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.7mm
Výška
1.8mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.