Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
9.15mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 80,20
€ 0,802 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
100
€ 80,20
€ 0,802 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
100
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,802 | € 8,02 |
| 500 - 990 | € 0,793 | € 7,93 |
| 1000 - 1990 | € 0,783 | € 7,83 |
| 2000+ | € 0,774 | € 7,74 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
9.15mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
