Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
160W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13.6nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Höhe
9.15mm
Länge
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10,74
€ 2,148 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,74
€ 2,148 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,148 | € 10,74 |
| 50 - 245 | € 1,748 | € 8,74 |
| 250 - 495 | € 1,332 | € 6,66 |
| 500+ | € 1,182 | € 5,91 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální ztrátový výkon Pd
160W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13.6nC
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Šířka
4.6mm
Höhe
9.15mm
Länge
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.