Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4.2mΩ
Typický náboj brány Qg @ Vgs
127nC
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 124,20
€ 2,484 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 124,20
€ 2,484 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,484 | € 124,20 |
| 250 - 450 | € 2,422 | € 121,09 |
| 500+ | € 2,355 | € 117,74 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
4.2mΩ
Typický náboj brány Qg @ Vgs
127nC
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.