Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
299mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 56,10
€ 2,805 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 56,10
€ 2,805 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,805 | € 5,61 |
| 100 - 198 | € 2,135 | € 4,27 |
| 200+ | € 1,895 | € 3,79 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
299mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
9.15mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.