řada: STripFETMOSFET STP16NF06 N-kanálový 16 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Morocco
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,92
€ 1,584 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,92
€ 1,584 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,584 | € 7,92 |
| 10 - 20 | € 1,408 | € 7,04 |
| 25 - 95 | € 1,344 | € 6,72 |
| 100 - 495 | € 1,004 | € 5,02 |
| 500+ | € 0,856 | € 4,28 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
16 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Morocco
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products