Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
13A
Maximální napětí na zdroji Vds
550V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 14,80
€ 1,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 14,80
€ 1,48 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 1,48 |
| 100 - 499 | € 1,46 |
| 500 - 999 | € 1,45 |
| 1000+ | € 1,43 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
13A
Maximální napětí na zdroji Vds
550V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.