Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
18.5A
Počet kolíků
3
Doba poklesu
40ns
Gehäusegröße
TO-220
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
27ns
Minimální napájecí napětí
3V
Maximální napájecí napětí
30V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Through Hole
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 212,77
€ 4,255 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 212,77
€ 4,255 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 4,255 | € 212,77 |
| 250+ | € 3,987 | € 199,37 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
18.5A
Počet kolíků
3
Doba poklesu
40ns
Gehäusegröße
TO-220
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
27ns
Minimální napájecí napětí
3V
Maximální napájecí napětí
30V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Through Hole
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.