Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
183nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,60
€ 2,80 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 5,60
€ 2,80 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
120A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
183nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.