Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
195mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
24nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 145,20
€ 2,904 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 145,20
€ 2,904 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,904 | € 145,20 |
| 250+ | € 2,721 | € 136,06 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
195mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
24nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
4.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
