Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
95mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Betriebstemperatur min.
-50°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
71nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 30,10
€ 3,01 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 30,10
€ 3,01 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 499 | € 3,01 |
| 500+ | € 2,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
95mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Betriebstemperatur min.
-50°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
71nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
