Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
36A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-LL
Řada
STP50N60DM6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
80mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
55nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.4mm
Länge
28.9mm
Normy/schválení
No
Breite
10mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 169,80
€ 3,396 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 169,80
€ 3,396 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,396 | € 169,80 |
| 250+ | € 3,285 | € 164,23 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
36A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-LL
Řada
STP50N60DM6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
80mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
55nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.4mm
Länge
28.9mm
Normy/schválení
No
Breite
10mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
