řada: MDmesh M2MOSFET STP5N60M2 N-kanálový 3,5 A 650 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,14
€ 1,428 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,14
€ 1,428 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,428 | € 7,14 |
| 25 - 45 | € 1,354 | € 6,77 |
| 50 - 120 | € 1,218 | € 6,09 |
| 125 - 245 | € 1,096 | € 5,48 |
| 250+ | € 1,044 | € 5,22 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M2
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products