Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh K6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.6Ω
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25.9nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 23,80
€ 2,38 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 23,80
€ 2,38 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,38 |
| 100 - 499 | € 2,16 |
| 500 - 999 | € 2,03 |
| 1000+ | € 2,00 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
MDmesh K6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.6Ω
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
25.9nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.