Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AC
Maximální trvalý dopředný proud If
10A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC10065
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
130μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
48A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Výška
15.75mm
Normy/schválení
ECOPACK, UL94 V0
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 96,00
€ 1,92 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 96,00
€ 1,92 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,92 | € 96,00 |
| 250 - 450 | € 1,872 | € 93,60 |
| 500+ | € 1,82 | € 91,01 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220AC
Maximální trvalý dopředný proud If
10A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC10065
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
130μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
48A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Výška
15.75mm
Normy/schválení
ECOPACK, UL94 V0
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
