Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
10A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
SiC Schottky
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
425μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
650A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2,08
€ 2,08 Each (bez DPH)
1
€ 2,08
€ 2,08 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
10A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
SiC Schottky
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
425μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
650A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
