Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
DO-247 LL
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPS
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
2
Minimální provozní teplota
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.9mm
Výška
41.2mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,53
€ 7,53 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 7,53
€ 7,53 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,53 |
| 10 - 99 | € 6,16 |
| 100 - 599 | € 6,09 |
| 600 - 1199 | € 6,01 |
| 1200+ | € 5,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
DO-247 LL
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPS
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
2
Minimální provozní teplota
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.9mm
Výška
41.2mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
