Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp montáže
Through Hole
Typ produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Gehäusegröße
DO-247 LL
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Řada
STPS
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
2
Minimální provozní teplota
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Länge
15.9mm
Výška
41.2mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 201,96
€ 6,732 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 201,96
€ 6,732 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 6,732 | € 201,96 |
| 150+ | € 6,425 | € 192,74 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp montáže
Through Hole
Typ produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Gehäusegröße
DO-247 LL
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Řada
STPS
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
2
Minimální provozní teplota
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Länge
15.9mm
Výška
41.2mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
