Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TO-263
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
Single
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
60μA
Maximální dopředné napětí Vf
2.25V
Betriebstemperatur min.
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
120A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.95mm
Výška
4.3mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 1200V power schottky silicon carbide diode is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its Its high forward surge capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TO-263
Maximální trvalý dopředný proud If
20A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
Single
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
60μA
Maximální dopředné napětí Vf
2.25V
Betriebstemperatur min.
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
120A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.95mm
Výška
4.3mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 1200V power schottky silicon carbide diode is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its Its high forward surge capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
