Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottky Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
HU3PAK
Maximální trvalý dopředný proud If
30A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Silicon Carbide Schottky Diode
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
Schottkyho SiC
Počet kolíků
7
Špičkový zpětný proud Ir
1200μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
11.9mm
Výška
3.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 899,79
€ 4,833 Each (On a Reel of 600) (bez DPH)
600
€ 2 899,79
€ 4,833 Each (On a Reel of 600) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
600
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottky Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
HU3PAK
Maximální trvalý dopředný proud If
30A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Silicon Carbide Schottky Diode
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
Schottkyho SiC
Počet kolíků
7
Špičkový zpětný proud Ir
1200μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
1100A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
11.9mm
Výška
3.6mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
